SK하이닉스, 20조원 투입해 차세대 D램 신규 생산 기지 설립 > 경제

1. SK하이닉스가 신규 D램 생산기지 M15X 건설을 통해 20조원 이상을 투자할 계획.
2. AI 반도체 수요 대응을 위해 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 D램 생산 능력 확장.
3. 계획대로 진행된다면 2025년 11월 준공 후 양산 예정.
4. 이에 따라 2027년 상반기에는 용인에서 첫 번째 팹인 M15X로 생산 시작 예정.
5. SK하이닉스는 이와 별도로 용인 클러스터 등 총 120조원 규모의 국내 투자도 추진할 예정.

[설명]
SK하이닉스가 선제적으로 AI 반도체 수요에 대응하기 위해 총 20조원 이상을 투자해 신규 D램 생산기지인 M15X를 건설한다. 이를 통해 차세대 D램 생산 능력을 확충하고, 고대역폭메모리(HBM) 등을 확장하여 새로운 기술에 대응할 준비를 갖출 것으로 보인다. 이번 투자가 성공적으로 진행된다면 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 예정이며, 이어 용인 클러스터에서도 생산을 시작할 것으로 계획하고 있다. 이를 통해 국내 반도체 산업을 선도하는 역할을 하게 될 것으로 전망된다.

[용어 해설]
- HBM(High Bandwidth Memory) : 고대역폭메모리로, 높은 대역폭을 제공하는 메모리 기술로, 대용량 데이터의 처리 속도를 빠르게 하는데 사용된다.
- 팹(Fab) : 반도체 제조공장을 의미하며, Fabrication의 줄임말로 사용된다.

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