메모리 업계, 선점 경쟁 가속화...HBM3E 16단과 HBM4 탐구 > 경제

1. 메모리 업계에서 HBM 기술 경쟁 심화
2. HBM3E 12단 제품 출시, SK하이닉스와 삼성전자 속도전
3. 6세대 HBM4 16단 기대감
4. 제조 방식 차이로 경쟁력 경쟁
5. 하이브리드 본딩 기술 주목

[설명]
메모리 업계에서는 고대역폭메모리(HBM) 기술 경쟁이 치열해지고 있습니다. HBM3E 12단 제품이 출시되면서 SK하이닉스와 삼성전자가 경쟁을 가속화하고 있습니다. 또한, 16단 HBM4의 출시가 기대되며, 두 기업의 HBM 제조 방식 차이와 새로운 하이브리드 본딩 기술에 대한 관심이 커지고 있습니다.

[용어 해설]
- HBM(High Bandwidth Memory) : 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높이는 혁신적인 고성능 D램 기술
- JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) : 국제 반도체 표준화 협회로, 반도체 산업의 표준을 제정하는 기구
- TSV(Through-Silicon Via) : 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 전극으로 칩을 연결하는 공정
- NCF(Non-Conductive Film) : 칩 사이의 비전도성 필름으로, 열로 압착하여 제품을 만드는 방식
- MR-MUF(Material-Reactive, Moulding Underfill) : 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 공정

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