삼성전자, 5세대 고대역폭메모리 양산 계획 발표 > 경제

1. 삼성전자, 올해 1분기 실적 발표 및 HBM3E 12단 제품의 2분기 양산 계획 공개.
2. HBM 출하량 3배 이상 늘리고 내년에 2배 확장 예정.
3. 서버용 D램 50% 이상 성장 예상, AI 서버용 연계된 DDR5 모듈 출시 예정.
4. 낸드플래시 AI 특수 제품 1분기 흑자 전환, 2분기에도 성장 예상.
5. 삼성 파운드리, 1분기 최대 수주 실적 달성, 2분기부터 매출 성장 예상.

[설명]
삼성전자가 올해 1분기 실적 발표를 통해 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E 12단 제품의 2분기 양산 계획을 발표했습니다. 이에 따라 HBM 출하량을 대폭 늘리고 서버용 D램 및 낸드플래시 제품을 강화하여 AI 시장에서 경쟁력을 강화할 예정입니다. 또한 삼성 파운드리도 1분기 최대 수주 실적을 달성하며 2분기에는 매출 성장이 예상됩니다.

[용어 해설]
1. HBM(High Bandwidth Memory) : 고대역폭메모리, 고성능 메모리 기술.
2. D램(Dynamic Random Access Memory) : 다이내믹 랜덤 액세스 메모리, 주로 컴퓨터 메모리로 사용되는 반도체 메모리.
3. 낸드플래시(NAND Flash) : 플래시 메모리 기술로, USB 드라이브, SSD 등에 사용됨.
4. 파운드리(Foundry) : 반도체 위탁 생산 업체.

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