삼성전자, HBM3E 12단 적층 D램 개발…"AI 시장 선점 가속화" > 경제

1. 업계 최초로 36GB HBM3E 12H D램 개발
삼성전자가 36GB HBM3E 12H D램을 개발하여, 고용량 HBM 시장 선점을 가속화하고 있음.

2. 성능과 용량 50%↑… Advanced TC NCF 기술 적용
HBM3E 12H는 성능과 용량이 이전 제품 대비 50% 이상 향상된 제품으로, Advanced TC NCF 기술을 적용해 높은 수직 집적도를 실현.

3. AI 기업들에 혁신적인 솔루션 제안
HBM3E 12H를 활용하면 GPU 사용량이 감소하고 AI 학습 속도가 향상되어, 기업들이 리소스를 유연하게 관리할 수 있는 혜택이 있음.


[용어 해설]
1) HBM3E: High Bandwidth Memory의 약자로, 고대역폭 메모리를 의미함.
2) 적층 기술: 반도체 기술에서는 여러 층으로 적층시켜 성능을 개선하는 기술을 말함.

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