삼성전자, 36GB HBM3E D램 개발 성공…하이닉스와 경쟁 격화 > 경제

1. 업계 최대 용량 HBM3E D램 개발
삼성전자가 36GB HBM3E D램을 개발하며 하이닉스와의 경쟁이 치열해지고 있다.

2. 삼성, HBM3E 시장 점유 확대 목표
삼성전자는 5세대 HBM 제품을 엔비디아에 공급할 가능성을 높이고 있으며, 현재 고용량 HBM 시장을 선점하겠다는 계획이다.

3. 마이크론도 HBM3E 양산 공식화
미국 마이크론도 HBM3E D램 양산을 공식화하며 엔비디아 'H200'에 탑재할 예정이며, 시장에서 주도적인 역할을 하겠다는 의지를 드러냈다.

[용어 해설]
1) HBM: High Bandwidth Memory의 약자로 초고대역폭 메모리를 의미합니다.
2) TSV: Through-Silicon Via의 약자로 실리콘 기반 기술에서 다양한 칩들을 세밀하게 연결하는 기술을 말합니다.

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