SK하이닉스, TSMC와 협력하여 차세대 HBM4 개발 박차 > 경제

1. SK하이닉스가 대만 TSMC와 손잡고 차세대 HBM(고대역폭 메모리) 기술 개발로 협력 강화
2. SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4 개발 계획 발표
3. 협약에 따라 SK하이닉스와 TSMC는 HBM 패키지 내 베이스다이(Base Die) 성능 향상에 나선다.

[설명]
SK하이닉스가 TSMC와 협력하여 차세대 HBM4를 개발하기로 결정했습니다. 이를 통해 고객사와의 요구를 충족시키며 AI 메모리 성능 한계를 돌파하려는 노력이 진행될 예정입니다. 이번 협력으로 인해 HBM 기술의 혁신이 가속화되고, 고객에게 맞춤형 HBM이 제공될 것으로 기대됩니다.

[용어 해설]
HBM(High Bandwidth Memory) : 고대역폭 메모리를 의미하며, 빠른 데이터 전송 속도와 뛰어난 성능을 제공하는 메모리 형태입니다.
TSV(Through Silicon Via) : D램 칩의 상층과 하층을 연결하는 전극으로 수직 연결 기술을 의미합니다.

[태그]
#SK하이닉스 #TSMC #HBM4 #메모리 #기술협력 #AI #데이터전송 #협약 #고객사요구 #태양광절반

추천0 비추천 0