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삼성, 3나노 파운드리 시장서 TSMC 맹추격...GAA 기술로 초격차 실현

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작성자 TISSUE 작성일 24-06-14 10:19 댓글 0

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 삼성 3나노 파운드리 시장서 TSMC 맹추격...GAA 기술로 초격차 실현
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1. 삼성전자, GAA 기술 기반 3나노 이하 파운드리 시장 선도
2. 시장조사에 따르면 2027년까지 삼성 파운드리 시장 점유율 2배 확대 전망
3. SF2Z 공정으로 고성능 컴퓨팅 설계 향상
4. 3나노 이하 공정 시장 성장 판도 변화 예상
5. TSMC의 가격 인상으로 삼성전자 파운드리 시기적절한 상황
6. AMD 등 대형 고객사도 삼성전자와 협력 확대
[설명] 최근 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 삼성전자가 GAA(게이트올어라운드) 기술을 기반으로 한 3나노 이하 파운드리 시장에서 TSMC에 맞선다는 전략을 밝히며 급부상 중이다. 3나노 이하 공정 시장의 폭발적인 성장세를 예상하며 향후 시장 선점을 위해 다양한 기술과 전략을 펼치고 있다. 삼성전자의 첨단 공정 기술과 다양한 응용처 확장으로 AI 및 HPC(High Performance Computing) 시장에서도 주목을 받고 있다.
[용어 해설] GAA 기술: 게이트올어라운드(gate-all-around) 기술로, 전통적인 트랜지스터 구조 대비 전력효율성이 뛰어나고 데이터 처리 속도가 빠른 고급 반도체 제조 기술
[태그] #Samsung #삼성전자 #파운드리 #3나노 #반도체 #GAA기술 #TSMC맹추격 #최신기술 #AI #HPC #시장경쟁 #혁신전략

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