삼성전자, 2나노 공정으로 경쟁 우위 선점하며 1.4나노 양산 재확인 > 경제

1. 삼성전자가 후면전력공급 기술(BSPDN)을 도입한 SF2Z 2나노 공정으로 업계 선두 경쟁력 구축.
2. 2027년 1.4나노 양산 계획 강조로, 내실 집중 방침 강조.
3. GAA와 후면전력공급 기술 도입으로 삼성전자의 기술 우위 강조.
4. 삼성전자가 고객사에게 제공하는 '원스톱' 솔루션으로 경쟁 우위 강화 기대.
[설명]
삼성전자가 2나노 공정으로 경쟁 우위를 선점하기 위해 후면전력공급 기술을 도입한 SF2Z를 발표했습니다. 이를 통해 2027년에 1.4나노 양산 계획을 재확인하며 내실 집중에 주력할 방침을 밝혀 업계의 주목을 받고 있습니다. 또한, 삼성전자가 제공하는 '원스톱' 솔루션은 고객사들에게 편의성을 제공함으로써 경쟁 우위를 더욱 강화할 것으로 예상됩니다.
[용어 해설]
- GAA(게이트올어라운드) : 차세대 트랜지스터 구조로, 전류 제어 및 소형화에 효과적인 방식.
- BSPDN(후면전력공급) : 전력 및 신호 라인 병목 현상을 개선하는 기술.
- 소비전력 : 일정 시간에 사용하는 전력.
[태그]
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