삼성전자, 중국에 D램 기술 유출한 혐의로 임원 출신 전문가 구속 > 사회

1. 삼성전자와 하이닉스반도체 임원 출신 전문가가 중국에 D램 공정기술을 유출한 혐의로 구속되었다.
2. 유출된 기술은 국가핵심기술로 지정된 '30나노 이하 D램 제조공정'이다.
3. 중국 반도체 제조업체에게 기술을 제공한 것으로 의심되며, 유출된 기술은 약 4조원을 투자한 국내 핵심기술이다.
4. 유출로 중국 기업이 빠르게 해당 기술을 개발해 D램 시범 생산에 성공했다.
5. 유출 혐의를 받은 인물은 중국 기업 지분과 범죄수익을 취득했으며, 한국 경제에 심각한 피해를 줄 수 있다.

[설명]
삼성전자와 하이닉스반도체의 임원 출신 전문가가 중국에 국가핵심기술로 지정된 D램 제조공정 기술을 유출한 혐의로 구속 기소됐습니다. 이 기술은 삼성전자가 약 4조원을 들여 개발한 것으로, 중국 기업이 이를 이용해 빠르게 D램 시범 생산에 성공할 수 있었습니다. 해당 인물은 중국 기업의 지분과 수익을 획득했으며, 한국 경제에 상당한 피해를 줄 수 있다는 우려가 제기되고 있습니다.

[용어 해설]
- D램(DRAM): Dynamic Random Access Memory의 약자로 컴퓨터의 주기억장치 중 하나로, 데이터의 임의 접근 속도가 빠른 반도체 메모리를 의미합니다.

[태그]
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