삼성전자, 중국으로 기술유출 혐의로 구속된 전 임직원들 > 사회

1. 삼성전자 임직원 2명이 중국으로 기술유출 혐의로 검찰에 구속됐다.
2. 유출된 기술로 20나노급 D램 반도체 개발 성공, 기간을 크게 단축했다.
3. 총 개발 비용은 4조3천억 원에 이르며 피해 규모는 파악되지 않는다.

[설명]
삼성전자 전 임직원 2명이 중국으로 기술을 유출한 혐의로 구속됐습니다. 이들은 20나노급 D램 반도체를 단축된 시간 내에 개발해 성공했지만, 이로 인한 피해는 아직 가늠되지 않습니다. 전 임직원들은 공장 운영 중단으로 수사 중이며, 추가 범행 및 기술 유출에 대해 경찰이 강력히 수사 중입니다.

[용어 해설]
1. D램 반도체: Dynamic Random-Access Memory의 약자로 주기억장치를 이야기하며, 주로 컴퓨터 메모리로 사용된다.
2. 기술유출: 기술적인 정보나 지식을 무단으로 유출하는 행위를 가리키는 용어이다.

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