램리서치, 램 크라이오 3.0 출시로 메모리 반도체 혁신 주도 > 과학

1. 램리서치가 극저온 식각 기술 '램-크라이오 3.0'을 통해 메모리 반도체 산업 혁신을 주도
2. 글로벌 메모리 기업들 1000단 낸드플래시 개발 및 양산을 적극 지원
3. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등이 램리서치의 기술을 적용해 낸드플래시 양산 준비
4. 램 크라이오 3.0 기술을 통해 에너지 소비량 40% 감소, 탄소 배출량 90% 감축 가능
[설명] 램리서치가 최신 극저온 식각 기술 '램-크라이오 3.0'을 선보여 메모리 반도체 산업의 혁신을 주도하고 있습니다. 이 기술을 통해 2030년 글로벌 메모리 기업들이 1000단 낸드플래시를 개발하고 양산하는데 필요한 지원을 하고 있습니다. 램리서치의 기술은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등의 대기업도 적극적으로 도입해 낸드플래시 양산 준비를 하고 있습니다. 이와 함께 램 크라이오 3.0 기술은 에너지 소비량을 40% 줄이고 탄소 배출량을 90%까지 감축할 수 있어 환경에도 이로운 영향을 끼치고 있습니다.
[용어 해설] 낸드플래시: 전기를 이용해 정보를 기억하고 저장하는 반도체 소자로, 스마트폰, 컴퓨터 등 다양한 전자기기에 사용
극저온 식각: 매우 낮은 온도에서 반도체 소자를 세밀하게 가공하는 기술
램 크라이오 3.0: 램리서치가 개발한 극저온 식각 기술로, 메모리 반도체 양산에 효율적으로 활용
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