인듐 셀레나이드로 개발된 양극성 트랜지스터의 혁신 > 과학

1. 인듐 셀레나이드를 활용한 양극성 다기능 트랜지스터가 개발됨
2. N형과 P형 반도체 성능 향상 기술 개발
3. 양극성 특성을 구현하여 전류 꺼짐, 켜짐 비 10억 이상 달성

[설명]
한국과학기술원(KAIST)의 연구진이 인듐 셀레나이드를 활용한 양극성 다기능 트랜지스터를 개발했다고 발표했습니다. 이 기술은 N형과 P형 반도체의 성능을 향상시키는 것에 초점을 맞춘 것으로, 전류 꺼짐과 켜짐 비가 10억 이상이라는 뛰어난 성능을 보여줍니다. 이 연구결과는 국제 학술지 '나노 레터스'에 발표되었으며, 기술적 혁신을 이룬 것으로 평가받고 있습니다.

[용어 해설]
- 인듐 셀레나이드: 인듐과 셀레늄으로 이뤄진 무기 화합물 반도체
- 양극성 특성: 전기 분야에서 양(positive) 전하와 음(negative) 전하를 모두 이동시킬 수 있는 속성

[태그]
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