1000단까지 쌓을 수 있는 낸드플래시 기술, 꿈의 기술 현실화 가능한가 > 과학

1. 낸드플래시 기술에서 300단을 넘어서 1000단까지 쌓을 수 있는 기술이 나올 수 있을까 거론되고 있습니다.
2. 램리서치의 극저온 식각 기술 '크라이오 3.0'은 200단 이상의 초고층 식각을 기존보다 더 빠르게 처리할 수 있다고 알려졌습니다.
3. 극저온 식각을 통해 새로운 채널홀 뚫기 기술을 개발하여 1000단 낸드플래시를 실현하기 위한 기반이 마련되고 있습니다.

[설명]
낸드플래시 기술에서 300단을 넘어 1000단을 쌓을 수 있는 기술이 삼성전자, SK하이닉스 등 각 회사에서 연구되고 있습니다. 램리서치의 '크라이오 3.0' 기술은 -63℃ 온도로 웨이퍼를 처리하여 쉽게 채널홀을 뚫을 수 있는 기술로, 새로운 고층 식각의 가능성을 제시하고 있습니다. 이러한 기술은 현존하는 낸드플래시 기술을 향상시키고 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 기반이 될 수 있습니다.

[용어 해설]
- 낸드플래시: 데이터를 저장하는 휘발성 메모리인 플래시 메모리의 하나로, 0 또는 1의 데이터를 저장하는 반영구적인 메모리이다.
- 채널홀: 낸드플래시 공정에서 구멍을 뚫어 데이터를 저장하는 구조물을 의미한다.
- 크라이오 3.0: 램리서치가 개발한 극저온 식각 기술로, 낸드플래시의 채널홀을 빠르고 정밀하게 처리할 수 있게 한다.

[태그]
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