램리서치, 극저온 식각 기술로 1000단 낸드 가능성 제시 > 과학

1. 램리서치의 극저온 식각 기술로 1000단 수준의 3D 낸드 생산이 가능할 것으로 보임.
2. 김 박사는 극저온 기술로 채널 홀을 더 깊게 식각 가능하며, 셀 수직 적층에 필요한 기술이라고 설명함.
3. 극저온 식각 기술은 낸드플래시 공정에 활용돼 구멍 형성의 어려움을 극복할 수 있게 해줌.
4. 램리서치가 최근 개발한 크라이오 3.0 기술이 3D 낸드 시장에서 긍정적인 평가를 받고 있는 것으로 알려짐.

[설명] 램리서치가 극저온 식각 기술을 통해 1000단 수준의 3D 낸드 생산 가능성을 제시했습니다. 이 기술은 셀 수직 적층 구조를 가진 낸드플래시의 생산에 필수적인데, 본 기술을 적용하면 깊은 채널 홀을 더욱 정밀하게 제작할 수 있습니다. 이를 통해 낸드플래시 공정에서 발생하는 어려움을 극복하고 높은 생산성을 실현할 수 있습니다. 램리서치의 최신 기술인 크라이오 3.0은 이미 시장에서 긍정적인 평가를 받고 있으며, 고객사들도 활용에 대한 긍정적인 반응을 보이고 있습니다.

[용어 해설]
- 낸드플래시: 내부에 데이터를 보관하는 메모리반도체 기기. 셀 내부에 전하가 가두어져 데이터를 보관함.
- 극저온 식각: 매우 낮은 온도에서 식각 공정을 진행하는 기술.
- 채널 홀: 낸드플래시에서 전자가 통과하는 경로.
- 셀 수직 적층: 셀을 수직으로 쌓는 방식으로 낸드플래시를 생산하는 방법.

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