인텔, 하이-NA EUV 장비 본격 활용 예정… 삼성과의 격차 확대 가능성 > 과학

1. 인텔, 내년부터 하이-NA EUV 장비를 활용한 1나노 공정 도입 계획 발표.
2. 삼성전자는 2027년에 하이-NA EUV 도입 예정으로 인텔과 약 2년 격차 예상.
3. 하이-NA EUV 사용으로 성능 향상은 있지만 비용은 2배 이상 비쌈.
4. 인텔, 외부 고객사 확보 위해 반도체 생산 시설에 약 123조원 투자.
5. 삼성, 하이-NA EUV 도입 관련 신중한 입장을 유지 중.

[설명]
인텔이 하이-NA EUV 장비를 활용한 1나노 공정 도입을 계획하며 삼성과의 기술 격차 확대 가능성이 제기되고 있습니다. 하이-NA EUV는 뛰어난 성능을 가지고 있지만 가격이 상대적으로 높아 삼성 등 다른 기업들과의 경쟁에서 비용 부담이 있을 수 있습니다. 이에 삼성은 하이-NA EUV 도입 시기를 2027년으로 예정하고 있어 인텔과 약 2년의 기술 격차가 예상됩니다. 현재 인텔은 외부 고객사 유치를 위해 약 123조원을 투자하고 있으며, 삼성은 하이-NA EUV 장비 도입에 대해 신중한 입장을 유지하고 있습니다.

[용어 해설]
- EUV(EUV) : 극자외선 장비로, 매우 미세한 반도체를 제조하는 데 사용되는 장비.
- 하이-NA(High-NA) EUV : 높은 광학적 수치(NA)를 가지고 있어 더 높은 해상도를 제공하는 EUV 장비.
- 로우-NA(Low-NA) EUV : 낮은 광학적 수치(NA)를 가지고 있어 해상도가 낮지만 비용이 상대적으로 낮은 EUV 장비.

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