KAIST, 초저전력 상변화 메모리 소자 개발... 소비 전력 15배 이상 감소 > 과학

1. 한국과학기술원(KAIST) 연구팀이 디램(DRAM)과 낸드(NAND) 메모리 대체 가능한 초저전력 상변화 메모리 소자를 개발.
2. 상변화 메모리는 속도가 빠르면서 비휘발성으로, 뉴로모픽 컴퓨팅 기술과 연계될 전망.
3. 기존 상변화 메모리 대비 소비 전력 15배 이상 저조한 소자 구현하여 에너지 효율 개선.
4. 연구결과는 '네이처' 학술지 4월호에 게재되어 세계적 주목.

[설명]
KAIST 연구팀이 개발한 초저전력 상변화 메모리 소자는 DRAM과 NAND 메모리를 대체할 수 있는 혁신적인 기술로 소개됩니다. 이러한 상변화 메모리는 고속이면서 휘발성이 없어 정보를 보존할 수 있는 특징을 지니고 있어, 뉴로모픽 컴퓨팅 분야에서의 응용이 기대되고 있습니다. 연구팀은 기존 상변화 메모리의 소비 전력 문제를 크게 개선하여 에너지 효율성을 향상시켰으며, 이와 관련된 연구결과는 국제 학술지 '네이처'에 발표되어 세계적인 주목을 받고 있습니다.

[용어 해설]
- 디램(DRAM) : Dynamic Random Access Memory의 약자로 주기억장치의 일종으로, 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 휘발성 메모리.
- 낸드(NAND) : 플래시 메모리 기술 중 하나로, 전원이 꺼져도 정보를 보존하는 비휘발성 메모리.

[태그]
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