KAIST, 초저전력 상변화 메모리 소자 개발 성공 > 과학

1. KAIST 연구팀, 소비전력 15배 이상 감소 가능한 초저전력 상변화 메모리 소자 개발.
2. 상변화 메모리, 빠른 속도와 비휘발성 특성을 가졌으며 디램과 낸드 플래시 메모리 대체 가능.
3. 초전전력 상변화 메모리는 공정 비용이 낮고 소비 전력이 작아 기존 메모리 대비 우수한 효율을 보여줌.

[설명]
한국과학기술원(KAIST) 최신현 교수 연구팀이 소비전력을 15배 이상 낮출 수 있는 초저전력 상변화 메모리 소자를 개발했습니다. 이 메모리는 속도가 빠르고 정보를 보존하는 비휘발성 특성을 가지며, 디램과 낸드 플래시 메모리를 대체할 수 있습니다. 기존 메모리에 비해 제조 비용이 낮고 소비 전력이 작아 실용성과 효율성 면에서 우수한 결과를 보여주고 있습니다. 해당 연구결과는 국제 학술지 '네이처'에 게재되었습니다.

[용어 해설]
- 초저전력 상변화 메모리: 소비전력을 15배 이상 감소시킬 수 있는 다음 세대 메모리 소자.
- 디램(DRAM): 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 휘발성 메모리.
- 낸드(NAND) 플래시 메모리: 전원이 꺼져도 정보를 보존하는 비휘발성 메모리.

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