과학

새로운 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 소재 개발, 멤트랜지스터 기술 혁신

페이지 정보

작성자 TISSUE 작성일 24-08-29 10:06 댓글 0

본문

 새로운 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 소재 개발 멤트랜지스터 기술 혁신

 newspaper_6.jpg



1. 연구팀이 신소재를 개발하여 전력 소모를 줄이고 소재 제한성을 극복함.
2. 이온 이동이 가능한 층상형 구조를 가진 Ⅲ-Ⅴ족 기반 40개 후보 소재를 도출.
3. 10종의 화합물 중에서 새로운 반도체 소재를 개발하고 메모리 및 트랜지스터로 활용 가능함.
4. 멤트랜지스터 소재의 새로운 패러다임 제시로 기존 기술에 혁신을 가져올 전망.

[설명]
과학기술정보통신부와 심우영 교수 연구팀이 새로운 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 소재를 개발했다. 이 소재는 기존에 비해 전력 소모가 적고 제한된 소재 활용 한계를 극복했다. 연구팀은 고속 계산법을 활용하여 40개 후보 소재 중에서 최종적으로 10종의 화합물을 선별하고 합성에 성공했다. 이들 소재는 이온 이동이 가능하면서도 반도체 특성을 발현하여 새로운 소재 패러다임을 제시한다. 이 연구는 국제학술지 '네이처 머터리얼스(Nature Materials)'에 발표되었다.

[용어 해설]
1. 반도체: 전기적 신호를 효과적으로 제어하는 소자로, 전자 공학 및 컴퓨터 과학 분야에서 중요한 역할을 한다.
2. 이온: 전기적으로 양성 또는 음성 전하를 띄는 원자나 분자로, 전기화학 및 재료과학 분야에서 중요한 개념이다.

[태그]
#Semiconductor #반도체 #화합물반도체 #소재개발 #멤트랜지스터 #이온이동 #패러다임 #과학기술 #연구소재 #신소재개발 #네이처머터리얼스

추천0 비추천 0

댓글목록 0

등록된 댓글이 없습니다.



구글트랜드 오늘의 핫이슈

 

당신의 관심과 사랑이 사이트의 가치를 만듭니다.
Copyright © tissue.kr. All rights reserved.