실리콘 산화 절연막 1.18% 팽창, 전하 이동도 최대 2.5배 상승 > 과학

1. 한국원자력연구원 연구팀, 실리콘 기판 반도체 성능 향상 기술 개발
2. 입자빔 이용해 실리콘 산화 절연막 팽창, 전하 이동도 2.5배 증가
3. 산화알루미늄 절연막에서도 기술 적용 성공

[설명]
한국원자력연구원 연구팀이 실리콘 기판 반도체에 질소 입자빔을 이용해 성능을 높이는 기술을 개발했습니다. 이를 통해 실리콘 산화 절연막이 팽창하면서 전하 이동도가 최대 2.5배까지 향상되었습니다. 또한, 이 기술이 산화알루미늄 절연막에도 성공적으로 적용되었습니다.

[용어 해설]
- 반도체: 전기를 통제하여 정보나 전자 신호를 처리하는 소자
- 입자빔: 빔 중 입자를 이용해 물질 특성을 조작하는 기술

[태그]
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